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FGPF4536中文资料仙童半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

FGPF4536

功能描述

DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION

文件大小

298.83 Kbytes

页面数量

14

生产厂商

FAIRCHILD

中文名称

仙童半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2026-1-27 23:00:00

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FGPF4536规格书详情

描述 Description

SuperFET®II MOSFET is Fairchild Semiconductor®’s first generation of high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance.This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate and higher avalanche energy. Consequently, SuperFETII MOSFET is suitable for various AC/DC power conversion for system miniaturization and higher efficiency.

特性 Features

• 650 V @TJ = 150°C

• Max. RDS(on) = 380 mΩ

• Ultra Low Gate Charge ( Typ. Qg = 34 nC)

• Low Effective Output Capacitance ( Typ. Coss.eff = 97 pF)

• 100 Avalanche Tested

Applications

• LCD / LED / PDP TV Lighting

• Solar Inverter

• AC-DC Power Supply

产品属性

  • 型号:

    FGPF4536

  • 功能描述:

    IGBT 晶体管 360V 50A 4TH GEN PDP IGBT

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压:

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压:

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流:

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封装/箱体:

    TO-247

  • 封装:

    Tube

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