FGPF4536中文资料仙童半导体数据手册PDF规格书
FGPF4536规格书详情
Description
SuperFET®II MOSFET is Fairchild Semiconductor®’s first generation of high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance.This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate and higher avalanche energy. Consequently, SuperFETII MOSFET is suitable for various AC/DC power conversion for system miniaturization and higher efficiency.
Features
• 650 V @TJ = 150°C
• Max. RDS(on) = 380 mΩ
• Ultra Low Gate Charge ( Typ. Qg = 34 nC)
• Low Effective Output Capacitance ( Typ. Coss.eff = 97 pF)
• 100 Avalanche Tested
Applications
• LCD / LED / PDP TV Lighting
• Solar Inverter
• AC-DC Power Supply
产品属性
- 型号：
FGPF4536
- 功能描述：
IGBT 晶体管 360V 50A 4TH GEN PDP IGBT
- RoHS：
否
- 制造商：
Fairchild Semiconductor
- 配置：
集电极—发射极最大电压
- VCEO：
650 V
- 集电极—射极饱和电压：
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
- C的连续集电极电流：
150 A
- 栅极—射极漏泄电流：
400 nA
- 功率耗散：
187 W
- 封装/箱体：
TO-247
- 封装：
Tube
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