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FGPF4533RDTU分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

FGPF4533RDTU
厂商型号

FGPF4533RDTU

参数属性

FGPF4533RDTU 封装/外壳为TO-220-3 整包;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:FGPF4533RDTU

功能描述

DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION

封装外壳

TO-220-3 整包

文件大小

298.83 Kbytes

页面数量

14

生产厂商 Fairchild Semiconductor
企业简称

FAIRCHILD仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

原厂标识
FAIRCHILD
数据手册

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更新时间

2025-8-5 14:08:00

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FGPF4533RDTU规格书详情

描述 Description

SuperFET®II MOSFET is Fairchild Semiconductor®’s first generation of high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance.This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate and higher avalanche energy. Consequently, SuperFETII MOSFET is suitable for various AC/DC power conversion for system miniaturization and higher efficiency.

特性 Features

• 650 V @TJ = 150°C

• Max. RDS(on) = 380 mΩ

• Ultra Low Gate Charge ( Typ. Qg = 34 nC)

• Low Effective Output Capacitance ( Typ. Coss.eff = 97 pF)

• 100 Avalanche Tested

Applications

• LCD / LED / PDP TV Lighting

• Solar Inverter

• AC-DC Power Supply

产品属性

  • 产品编号:

    FGPF4533RDTU

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    散装

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.8V @ 15V,50A

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    6ns/40ns

  • 测试条件:

    200V,20A,5 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商器件封装:

    TO-220F-3

  • 描述:

    FGPF4533RDTU

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