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FGF65A3L6L规格书详情
描述 Description
IGBT(内置FRD)FGF65A3L6L是650V 、15A Field Stop型的垂直沟道工艺的IGBT。
采用了独特的垂直构造减少了寄生容量，既实现低饱和压降，又减少了开关损耗。
IGBT的低损耗可以实现整机设备的高效率。
特性 Features
・低饱和电压
・高速开关
・内置FRD
・符合RoHS指令
应用 Application
・不间断电源系统(UPS)
・变频电路)
・桥电路
技术参数
- 制造商编号
：FGF65A3L6L
- 生产厂家
：Sanken
- 二极管内置
：YES
- VCE
：650V
- IC(Tc=100℃)
：15A
- PD
：72W
- VCE(sat)(typ)
：1.6V
- VF(typ)
：1.5V
- trr(typ)
：70ns
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