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FGD3440G2-F085V中文资料IGBT, 400V, 25A, 1.30V, 335mJ, DPAKEcoSPARK® II, N-Channel Ignition数据手册ONSEMI规格书
| 厂商型号 |
FGD3440G2-F085V |
| 参数属性 | FGD3440G2-F085V 封装/外壳为TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 450V DPAK |
| 功能描述 | IGBT, 400V, 25A, 1.30V, 335mJ, DPAKEcoSPARK® II, N-Channel Ignition |
| 封装外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-14 17:10:00 |
| 人工找货 | FGD3440G2-F085V价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
FGD3440G2-F085V规格书详情
描述 Description
FGD3440G2-F085V
特性 Features
• SCIS Energy = 335mJ at TJ = 25℃
• Logic Level Gate Drive
• Qualified to AEC Q101
• RoHS Compliant
应用 Application
• Body Electronics
简介
FGD3440G2-F085V属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGD3440G2-F085V晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
：FGD3440G2-F085V
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- AEC Qualified
：A
- Halide free
：H
- PPAP Capablee
：P
- Status
：Active
- Package Type
：DPAK-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO252 |
880000 |
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询价 | ||
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24+ |
TO-252 |
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24+ |
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2447 |
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