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FGF65A3L6L	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBT(FRD内置) IGBT(内置FRD)FGF65A3L6L是650V 、15A Field Stop型的垂直沟道工艺的IGBT。\n采用了独特的垂直构造减少了寄生容量，既实现低饱和压降，又减少了开关损耗。\nIGBT的低损耗可以实现整机设备的高效率。・低饱和电压\n・高速开关\n・内置FRD\n・符合RoHS指令;	Sanken 三垦	Sanken
FGF65A3L6L	文件：433.48 Kbytes Page：13 Pages	VCE = 650 V, IC = 15 A Trench Field Stop IGBTs with Fast Recovery Diode 文件：433.48 Kbytes 页数：13 Pages	Sanken 三垦	Sanken
FGH40N60SFD	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-247	ON 上传：上海世强芯半导体有限公司	ON
FGH40N60SFDTU	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-3P	仙童上传：深圳市勤思达科技有限公司	仙童
FGH40N60UFD	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-247	Fairchild 仙童半导体上传：深圳市弘为电子有限公司	Fairchild

技术参数

二极管内置：
YES
VCE：
650V
IC(Tc=100℃)：
15A
PD：
72W
VCE(sat)(typ)：
1.6V
VF(typ)：
1.5V
trr(typ)：
70ns

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FGF65A3L6L供应商更新时间2025-12-2 9:29:00

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