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FGD3440G2_F085中文资料IGBT，400V，25A，1.30V，335mJ，DPAKEcoSPARK® II，N 沟道点火数据手册ONSEMI规格书
| 厂商型号 |
FGD3440G2_F085 |
| 参数属性 | FGD3440G2_F085 封装/外壳为TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 450V DPAK |
| 功能描述 | IGBT，400V，25A，1.30V，335mJ，DPAKEcoSPARK® II，N 沟道点火 |
| 封装外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-28 22:59:00 |
| 人工找货 | FGD3440G2_F085价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
FGD3440G2_F085规格书详情
特性 Features
• 在 TJ = 25℃时，SCIS 能量 = 335 mJ
• 逻辑电平栅极驱动
• 符合 AEC Q101 标准
• 符合RoHS标准
应用 Application
• 人体电子
简介
FGD3440G2_F085属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGD3440G2_F085晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
：FGD3440G2_F085
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- AEC Qualified
：A
- Halide free
：H
- PPAP Capablee
：P
- Status
：Active
- V(BR)CES Typ (V)
：400
- VF Typ (V)
：-
- Eoff Typ (mJ)
：-
- Eon Typ (mJ)
：-
- Trr Typ (ns)
：2000
- Irr Typ (A)
：-
- Gate Charge Typ (nC)
：24
- Short Circuit Withstand (µs)
：-
- EAS Typ (mJ)
：-
- PD Max (W)
：166
- Co-Packaged Diode
：-
- Package Type
：DPAK-3/TO-252-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
24+ |
TO252 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
ON |
24+ |
DPAK-3 / TO-252-3 |
25000 |
ON全系列可订货 |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
ON(安森美) |
2511 |
标准封装 |
8000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
TO-252 |
32000 |
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈 |
询价 | ||
ON |
24+ |
N/A |
8000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
8000 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 |
