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FGB3236_F085中文资料IGBT，360V，27A，1.32V，320mJ，EcoSPARK® II，N 沟道点火数据手册ONSEMI规格书
| 厂商型号 |
FGB3236_F085 |
| 参数属性 | FGB3236_F085 封装/外壳为TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：ECOSPARK1 IGN-IGBT TO263 |
| 功能描述 | IGBT，360V，27A，1.32V，320mJ，EcoSPARK® II，N 沟道点火 |
| 封装外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-14 23:00:00 |
| 人工找货 | FGB3236_F085价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
FGB3236_F085规格书详情
特性 Features
• 工业标准 D2-Pak 封装
• SCIS能量 = 320mJ (TJ = 25°C)
• 逻辑电平栅极驱动
• 符合 AEC Q101 标准
• 符合 RoHS 标准
应用 Application
• 人体电子
简介
FGB3236_F085属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGB3236_F085晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
：FGB3236_F085
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- AEC Qualified
：A
- PPAP Capablee
：P
- Status
：Active
- V(BR)CES Typ (V)
：360
- VF Typ (V)
：-
- Eoff Typ (mJ)
：-
- Eon Typ (mJ)
：-
- Trr Typ (ns)
：1700
- Irr Typ (A)
：-
- Gate Charge Typ (nC)
：-
- Short Circuit Withstand (µs)
：-
- EAS Typ (mJ)
：-
- PD Max (W)
：187
- Co-Packaged Diode
：Yes
- Package Type
：D2PAK-3/TO-263-2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
TO2633 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO-263 |
20 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
FAIRCHILDONSEMICONDUCTOR |
23+ |
NA |
12730 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
8000 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
标准封装 |
8000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON Semiconductor |
2022+ |
TO-263 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
TO-263 |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
询价 | ||
FairchildSemiconductor |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
询价 |
