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FF225R12ME3数据手册分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF
| 厂商型号 |
FF225R12ME3 |
| 参数属性 | FF225R12ME3 封装/外壳为模块；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块；产品描述：IGBT MOD 1200V 325A 1150W |
| 功能描述 | EconoDUAL module with trench/fieldstop IGBT3 and EmCon High Efficiency diode |
| 封装外壳 | 模块 |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-6 16:03:00 |
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FF225R12ME3规格书详情
简介
FF225R12ME3属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由制造生产的FF225R12ME3晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件，主要用作电子开关，兼具高效率和快速切换优点。作为模块，IGBT 配置为非对称式桥； 升压、降压和制动斩波器；全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。
技术参数
更多- 产品编号：
FF225R12ME3BOSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块
- 系列：
EconoDUAL™
- 包装：
散装
- IGBT 类型：
沟槽型场截止
- 配置：
半桥
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.15V @ 15V，225A
- 输入：
标准
- NTC 热敏电阻：
是
- 工作温度：
-40°C ~ 125°C
- 安装类型：
底座安装
- 封装/外壳：
模块
- 供应商器件封装：
模块
- 描述：
IGBT MOD 1200V 325A 1150W
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
25+23+ |
MODULE |
34952 |
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询价 | ||
Infineon |
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询价 | |||
Infineon |
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Tray |
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原装正品 |
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1950+ |
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Infineon |
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模块 |
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IGBT |
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INFINEON |
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INFINEON/英飞凌 |
25+ |
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Infineon(英飞凌) |
24+ |
- |
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INFINEON |
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