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FF200R12KS4数据手册分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF
FF200R12KS4规格书详情
描述 Description
半桥 62 mm 1200 V、200 A 双 IGBT 模块，带有快速 IGBT 2，用于高频开关，将切实满足您的设计需求。
特性 Features
• 高短路容量
• 自限短路电流
• 低开关损耗
• 无与伦比的鲁棒性
• VCEsat 带正温度系数
• 封装的 CTI > 400
• 高爬电距离和电气间隙
• 绝缘基板
• 铜基板
• 标准封装
优势:
• PrimeSTACK™ 可用于快速开发，只需极少的投入
• 灵活性
• 优化电气性能
• 可靠性高
简介
FF200R12KS4属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由制造生产的FF200R12KS4晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件，主要用作电子开关，兼具高效率和快速切换优点。作为模块，IGBT 配置为非对称式桥； 升压、降压和制动斩波器；全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。
技术参数
更多- 制造商编号
：FF200R12KS4
- 生产厂家
：Infineon
- Green
：yes
- Halogen-free
：no
- Voltage Class
：1200 V
- Configuration
：Dual
- Technology
：IGBT2 Fast
- IC(nom) / IF(nom)
：200 A
- OPN
：FF200R12KS4HOSA1
- VCE(sat) Tvj=25°C typ
：3.2 V
- VF Tvj=25°C typ
：2 V
- Qualification
：Industrial
- Housing
：62 mm
- Dimensions length
：106.4 mm
- Dimensions width
：61.4 mm
- Package name
：AG-62MM
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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