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FF200R12KS4中文资料IGBT模块数据手册Infineon规格书

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厂商型号

FF200R12KS4

参数属性

FF200R12KS4 封装/外壳为模块;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:IGBT MOD 1200V 275A 1400W

功能描述

IGBT模块
IGBT MOD 1200V 275A 1400W

封装外壳

模块

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-23 14:04:00

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FF200R12KS4规格书详情

描述 Description

半桥 62 mm 1200 V、200 A 双 IGBT 模块,带有快速 IGBT 2,用于高频开关,将切实满足您的设计需求。

特性 Features

• 高短路容量
• 自限短路电流
• 低开关损耗
• 无与伦比的鲁棒性
• VCEsat 带正温度系数
• 封装的 CTI > 400
• 高爬电距离和电气间隙
• 绝缘基板
• 铜基板
• 标准封装

优势:
• PrimeSTACK™ 可用于快速开发,只需极少的投入
• 灵活性
• 优化电气性能
• 可靠性高

简介

FF200R12KS4属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由制造生产的FF200R12KS4晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :FF200R12KS4

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Green

    :yes

  • Halogen-free

    :no

  • Voltage Class

    :1200 V

  • Configuration

    :Dual

  • Technology

    :IGBT2 Fast

  • IC(nom) / IF(nom)

    :200 A

  • OPN

    :FF200R12KS4HOSA1

  • VCE(sat) Tvj=25°C typ

    :3.2 V

  • VF Tvj=25°C typ

    :2 V

  • Qualification

    :Industrial

  • Housing

    :62 mm

  • Dimensions length

    :106.4 mm

  • Dimensions width

    :61.4 mm

  • Package name

    :AG-62MM

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