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FF200R12KE3规格书详情
描述 Description
Our well-known 62 mm 1200V dual IGBT modules with trench/fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled High Efficiency Diode are the right choice for your design.
特性 Features
• Superior solution for frequency controlled inverter drives
• UL/CSA Certification with UL1557 E83336
• Operating temperature up to 125 °C (max 150 °C)
• Optimized switching characteristic like softness and reduced switching losses
• Existing packages with higher current capability
• RoHS compliant
优势:
• Flexibility
• Optimal electrical performance
• Highest reliability
简介
FF200R12KE3属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由制造生产的FF200R12KE3晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件，主要用作电子开关，兼具高效率和快速切换优点。作为模块，IGBT 配置为非对称式桥； 升压、降压和制动斩波器；全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。
技术参数
更多- 制造商编号
：FF200R12KE3
- 生产厂家
：Infineon
- Green
：yes
- Halogen-free
：no
- Voltage Class
：1200 V
- Configuration
：Dual
- Technology
：IGBT3 - E3
- IC(nom) / IF(nom)
：200 A
- OPN
：FF200R12KE3HOSA1
- VCE(sat) Tvj=25°C typ
：1.7 V
- VF Tvj=25°C typ
：1.65 V
- Qualification
：Industrial
- Housing
：62 mm
- Dimensions length
：106.4 mm
- Dimensions width
：61.4 mm
- Package name
：AG-62MM
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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