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FF150R12ME3G数据手册分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF
FF150R12ME3G规格书详情
描述 Description
EconoDUAL™ 3 1200V dual IGBT module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled High Efficiency diode
特性 Features
• Easy separation of DC and AC
• Optimized Thermal Resistance Case to Heat Sink
• Highest Power Density for compact Inverter Designs
优势:
• Compact Modules
• Easy and most reliable assembly
• No Plugs and Cables required
• Ideal for Low Inductive System Designs
简介
FF150R12ME3G属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由制造生产的FF150R12ME3G晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。
技术参数
更多- 制造商编号
:FF150R12ME3G
- 生产厂家
:Infineon
- Green
:yes
- Halogen-free
:no
- Voltage Class
:1200 V
- Configuration
:Dual
- Technology
:IGBT3 - E3
- IC(nom) / IF(nom)
:150 A
- OPN
:FF150R12ME3GBOSA1
- VCE(sat) Tvj=25°C typ
:1.7 V
- VF Tvj=25°C typ
:1.65 V
- Qualification
:Industrial
- Housing
:EconoDUAL™ 3
- Dimensions length
:152 mm
- Dimensions width
:62 mm
- Package name
:AG-ECONOD
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
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INFINEON |
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