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FF1200R12IE5P数据手册分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF

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厂商型号

FF1200R12IE5P

参数属性

FF1200R12IE5P 封装/外壳为模块;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:IGBT MOD 1200V 2400A 20MW

功能描述

IGBT模块
IGBT MOD 1200V 2400A 20MW

封装外壳

模块

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 23:00:00

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FF1200R12IE5P规格书详情

描述 Description

PrimePACK™2 1200 V, 1200 A dual IGBT module with TRENCHSTOP™ IGBT5 and .XT interconnection technology, Emitter Controlled 5 diode, NTC and pre-applied Thermal Interface Material.

特性 Features

• Extended operating temperature (Tvj op = 175°C)
• Output current increased by more than 25% in the same footprint
• Copper bonds for high current carrying capabilities
• Sintering of chips for highest power cycling capabilities
• Total losses reduced by up to 20%
• Package with CTI > 400
• Pre-applied Thermal Interface Material

优势:
• Increase in power density by up to 25%
• Up to 10 times longer lifetime
• Less cooling effort for same output power
• Enables higher system overload conditions

简介

FF1200R12IE5P属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由制造生产的FF1200R12IE5P晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :FF1200R12IE5P

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Green

    :yes

  • Halogen-free

    :no

  • Voltage Class

    :1200 V

  • Configuration

    :Dual

  • Technology

    :IGBT5 - E5

  • IC(nom) / IF(nom)

    :1200 A

  • OPN

    :FF1200R12IE5PBPSA1

  • VCE(sat) Tvj=25°C typ

    :1.9 V

  • VF Tvj=25°C typ

    :1.7 V

  • Qualification

    :Industrial

  • Housing

    :PrimePACK™ 2

  • Features

    :.XT Technology/TIM

  • Dimensions length

    :172 mm

  • Dimensions width

    :89 mm

  • Package name

    :AG-PRIME2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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