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FF200R12KE4P数据手册分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF
FF200R12KE4P规格书详情
描述 Description
我们众所周知的 62 mm 1200V 双 IGBT 模块, 采用沟槽/场终止IGBT4、优化的发射极控制二极管和预涂热界面材料，是您设计工作的不二之选.
特性 Features
• PrimeSTACK™ 可最大限度减少工作量，实现快速开发
• 变频驱动的出色解决方案
• 通过 UL/CSA 的 UL1557 E83336 认证
• 工作温度高达 150 °C
• 优化开关特性，例如，柔度和降低开关损耗
• 具有更高电流能力的现有封装
• 符合 RoHS
优势:
• 灵活性
• 出色的电气性能
• 高可靠性
简介
FF200R12KE4P属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由制造生产的FF200R12KE4P晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件，主要用作电子开关，兼具高效率和快速切换优点。作为模块，IGBT 配置为非对称式桥； 升压、降压和制动斩波器；全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。
技术参数
更多- 制造商编号
：FF200R12KE4P
- 生产厂家
：Infineon
- Green
：yes
- Halogen-free
：no
- Voltage Class
：1200 V
- Configuration
：Dual
- Technology
：IGBT4 - E4
- IC(nom) / IF(nom)
：200 A
- OPN
：FF200R12KE4PHOSA1
- VCE(sat) Tvj=25°C typ
：1.75 V
- VF Tvj=25°C typ
：1.65 V
- Qualification
：Industrial
- Housing
：62 mm
- Features
：TIM
- Dimensions length
：106.4 mm
- Dimensions width
：61.4 mm
- Package name
：AG-62MM
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
2016+ |
模块 |
985 |
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询价 | |||
EUPEC/欧派克 |
23+ |
MODULE |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
IGBT |
23+ |
模块 |
3562 |
询价 | |||
infineon |
24+ |
IGBT |
115 |
询价 | |||
EUPEC |
23+ |
200A/1200V/IGBT/2U |
3600 |
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询价 | ||
西门子欧派克 |
24+ |
模块 |
5645 |
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询价 | ||
Infineon |
20+ |
MODULE |
285 |
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英飞凌 |
23+ |
模块 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
- |
912 |
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询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
2447 |
- |
31500 |
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