FF200R12KE4P中文资料1200 V、200 A 双IGBT模块数据手册Infineon规格书

描述 Description

我们众所周知的 62 mm 1200V 双 IGBT 模块, 采用沟槽/场终止IGBT4、优化的发射极控制二极管和预涂热界面材料，是您设计工作的不二之选.

特性 Features

• PrimeSTACK™ 可最大限度减少工作量，实现快速开发
• 变频驱动的出色解决方案
• 通过 UL/CSA 的 UL1557 E83336 认证
• 工作温度高达 150 °C
• 优化开关特性，例如，柔度和降低开关损耗
• 具有更高电流能力的现有封装
• 符合 RoHS

优势:
• 灵活性
• 出色的电气性能
• 高可靠性

简介

FF200R12KE4P属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由制造生产的FF200R12KE4P晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件，主要用作电子开关，兼具高效率和快速切换优点。作为模块，IGBT 配置为非对称式桥； 升压、降压和制动斩波器；全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。