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FF200R12KE4P

1200 V、200 A 双IGBT模块

我们众所周知的 62 mm 1200V 双 IGBT 模块, 采用沟槽/场终止IGBT4、优化的发射极控制二极管和预涂热界面材料,是您设计工作的不二之选.\n • PrimeSTACK™ 可最大限度减少工作量,实现快速开发\n• 变频驱动的出色解决方案\n• 通过 UL/CSA 的 UL1557 E83336 认证\n• 工作温度高达 150 °C\n• 优化开关特性,例如,柔度和降低开关损耗\n• 具有更高电流能力的现有封装\n• 符合 RoHS\n\n优势:\n• 灵活性\n• 出色的电气性能\n• 高可靠性;

Infineon

英飞凌

FF200R12KE4P

62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled HE Diode und bereits aufgetragenem Thermal Interface Material

文件:606.73 Kbytes 页数:9 Pages

Infineon

英飞凌

FF200R12KE4PHOSA1

Package:模块;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 描述:IGBT MODULE 1200V 200A

Infineon

英飞凌

FF200R12KE4

Technische Information / Technical Information

文件:469.54 Kbytes 页数:8 Pages

Infineon

英飞凌

技术参数

  • Green:

    yes

  • Halogen-free:

    no

  • Voltage Class:

    1200 V

  • Configuration:

    Dual

  • Technology:

    IGBT4 - E4

  • IC(nom) / IF(nom):

    200 A

  • OPN:

    FF200R12KE4PHOSA1

  • VCE(sat) Tvj=25°C typ:

    1.75 V

  • VF Tvj=25°C typ:

    1.65 V

  • Qualification:

    Industrial

  • Housing:

    62 mm

  • Features:

    TIM

  • Dimensions length:

    106.4 mm

  • Dimensions width:

    61.4 mm

  • Package name:

    AG-62MM

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更多FF200R12KE4P供应商 更新时间2025-12-1 10:27:00