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FF200R12KE4P分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF中文资料

FF200R12KE4P
厂商型号

FF200R12KE4P

参数属性

FF200R12KE4P 封装/外壳为模块;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:IGBT MODULE 1200V 200A

功能描述

62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled HE Diode und bereits aufgetragenem Thermal Interface Material
IGBT MODULE 1200V 200A

封装外壳

模块

文件大小

606.73 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 Infineon Technologies AG
企业简称

INFINEON英飞凌

中文名称

英飞凌科技股份公司官网

原厂标识
INFINEON
数据手册

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更新时间

2025-8-3 23:00:00

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FF200R12KE4P规格书详情

FF200R12KE4P属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由英飞凌科技股份公司制造生产的FF200R12KE4P晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    FF200R12KE4PHOSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块

  • 系列:

    C

  • 包装:

    散装

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 配置:

    半桥

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.15V @ 15V,200A

  • 输入:

    标准

  • NTC 热敏电阻:

  • 工作温度:

    -40°C ~ 150°C

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    模块

  • 供应商器件封装:

    模块

  • 描述:

    IGBT MODULE 1200V 200A

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