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FF200R12KE4P分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF中文资料
厂商型号 |
FF200R12KE4P |
参数属性 | FF200R12KE4P 封装/外壳为模块;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:IGBT MODULE 1200V 200A |
功能描述 | 62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled HE Diode und bereits aufgetragenem Thermal Interface Material |
封装外壳 | 模块 |
文件大小 |
606.73 Kbytes |
页面数量 |
9 页 |
生产厂商 | Infineon Technologies AG |
企业简称 |
INFINEON【英飞凌】 |
中文名称 | 英飞凌科技股份公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-3 23:00:00 |
人工找货 | FF200R12KE4P价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
FF200R12KE4P规格书详情
FF200R12KE4P属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由英飞凌科技股份公司制造生产的FF200R12KE4P晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。
产品属性
更多- 产品编号:
FF200R12KE4PHOSA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块
- 系列:
C
- 包装:
散装
- IGBT 类型:
沟槽型场截止
- 配置:
半桥
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.15V @ 15V,200A
- 输入:
标准
- NTC 热敏电阻:
无
- 工作温度:
-40°C ~ 150°C
- 安装类型:
底座安装
- 封装/外壳:
模块
- 供应商器件封装:
模块
- 描述:
IGBT MODULE 1200V 200A
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
- |
912 |
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询价 | ||
2016+ |
模块 |
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询价 | |||
infineon |
24+ |
IGBT |
115 |
询价 | |||
英飞凌 |
23+ |
模块 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
Infineon |
23+ |
MODULE |
7600 |
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询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
2447 |
- |
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INFINEON |
23+ |
IGBT |
7000 |
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Infineon Technologies |
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模块 |
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INFINEON |
专业模块 |
MODULE |
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模块 |
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