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FF200R12KE4P分立半导体产品晶体管-IGBT-模块规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
FF200R12KE4P |
| 参数属性 | FF200R12KE4P 封装/外壳为模块；包装为散装；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块；产品描述：IGBT MODULE 1200V 200A |
| 功能描述 | 62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled HE Diode und bereits aufgetragenem Thermal Interface Material |
| 文件大小 |
606.73 Kbytes |
| 页面数量 |
9 页 |
| 生产厂商 | Infineon Technologies AG |
| 企业简称 |
Infineon【英飞凌】 |
| 中文名称 | 英飞凌科技公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-6-21 20:07:00 |
FF200R12KE4P规格书详情
FF200R12KE4P属于分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块。英飞凌科技公司制造生产的FF200R12KE4P晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件，主要用作电子开关，兼具高效率和快速切换优点。作为模块，IGBT 配置为非对称式桥； 升压、降压和制动斩波器；全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。
产品属性
- 产品编号：
FF200R12KE4PHOSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块
- 系列：
C
- 包装：
散装
- IGBT 类型：
沟槽型场截止
- 配置：
半桥
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.15V @ 15V，200A
- 输入：
标准
- NTC 热敏电阻：
无
- 工作温度：
-40°C ~ 150°C
- 安装类型：
底座安装
- 封装/外壳：
模块
- 供应商器件封装：
模块
- 描述：
IGBT MODULE 1200V 200A
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
专业模块 |
MODULE |
8513 |
模块原装主营-可开原型号增税票 |
询价 | ||
Infineon |
22+ |
NA |
493 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
- |
912 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
询价 | ||
IGBT |
23+ |
模块 |
3562 |
询价 | |||
Infineon |
2305+ |
原厂封装 |
5000 |
15年芯片行业经验/只供原装正品:0755-83272922邹小姐 |
询价 | ||
Infineon |
2023+ |
MODULE |
80000 |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
询价 | ||
infineon |
0816+ |
IGBT |
115 |
询价 | |||
英飞凌 |
新批次 |
N/A |
1500 |
询价 | |||
INFINEON-英飞凌 |
24+25+/26+27+ |
IGBT4 |
78800 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
询价 | ||
模块 |
17+ |
MODULE |
1020 |
公司大量全新现货 随时可以发货 |
询价 |
