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FF200R12KT4数据手册分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF
FF200R12KT4规格书详情
描述 Description
这款半桥 62 mm 1200 V, 200 A 双 IGBT 模块 采用第四代高速 TRENCHSTOPTM IGBT 和优化的发射极控制二极管，是您设计的理想选择。它也适用于热界面材料 。
特性 Features
• 变频逆变器的卓越解决方案
• UL/CSA 认证，以及 UL1557 E83336
• 最高工作温度 150°C
• 优化开关特征，例如，柔软特性和降低开关损耗
• 通过 RoHS 认证
优势:
• 灵活性
• 出色的电气性能
• 可靠性高
应用 Application
• 电机控制和驱动
• 太阳能系统解决方案
• 商用、工程和农用车辆(CAV)
• 不间断电源(UPS)
• 工业加热和焊接
简介
FF200R12KT4属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由制造生产的FF200R12KT4晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件，主要用作电子开关，兼具高效率和快速切换优点。作为模块，IGBT 配置为非对称式桥； 升压、降压和制动斩波器；全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。
技术参数
更多- 制造商编号
：FF200R12KT4
- 生产厂家
：Infineon
- Green
：yes
- Halogen-free
：no
- Voltage Class
：1200 V
- Configuration
：Dual
- Technology
：IGBT4 - T4
- IC(nom) / IF(nom)
：200 A
- OPN
：FF200R12KT4HOSA1
- VCE(sat) Tvj=25°C typ
：1.75 V
- VF Tvj=25°C typ
：1.65 V
- Qualification
：Industrial
- Housing
：62 mm
- Dimensions length
：106.4 mm
- Dimensions width
：61.4 mm
- Package name
：AG-62MM
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
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Infineon(英飞凌) |
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