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FF200R12KT3_E数据手册Infineon中文资料规格书

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厂商型号

FF200R12KT3_E

功能描述

IGBT模块

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 23:00:00

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FF200R12KT3_E规格书详情

描述 Description

我们众所周知的 62 mm 1200V 共发射极IGBT 模块 ,采用第三代快速沟槽/场终止IGBT。三级相位支路配置可以与1200 V  62 mm 双模块(例如,FF200R12KT3)结合使用。

特性 Features

• 变频驱动的出色解决方案
• 通过 UL/CSA 的 UL1557 E83336 认证
• 工作温度范围高达 125 °C (最高150 °C)
• 优化开关特性,例如,柔度和降低开关损耗
• 具有更高电流能力的现有封装
• 符合 RoHS


优势:
• 灵活性
• 出色的电气性能
• 高可靠性
 

技术参数

  • 制造商编号

    :FF200R12KT3_E

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Green

    :yes

  • Halogen-free

    :no

  • Voltage Class

    :1200 V

  • Configuration

    :Common Emitter

  • Technology

    :IGBT3 - T3

  • IC(nom) / IF(nom)

    :200 A

  • OPN

    :FF200R12KT3EHOSA1

  • VCE(sat) Tvj=25°C typ

    :1.7 V

  • VF Tvj=25°C typ

    :1.65 V

  • Qualification

    :Industrial

  • Housing

    :62 mm

  • Features

    :Phase leg

  • Dimensions length

    :106.4 mm

  • Dimensions width

    :61.4 mm

  • Package name

    :AG-62MM

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
24+
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Infineon
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