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FF200R12KT4	文件：300 bytes Page：1 Pages	1200 V 双 IGBT 模块这款半桥 62 mm 1200 V, 200 A 双 IGBT 模块采用第四代高速 TRENCHSTOPTM IGBT 和优化的发射极控制二极管，是您设计的理想选择。它也适用于热界面材料。\n; • 变频逆变器的卓越解决方案\n• UL/CSA 认证，以及 UL1557 E83336\n• 最高工作温度 150°C\n• 优化开关特征，例如，柔软特性和降低开关损耗\n• 通过 RoHS 认证\n\n优势:\n• 灵活性\n• 出色的电气性能\n• 可靠性高\n;	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司
FF200R12KT4	文件：473.4 Kbytes Page：8 Pages	62mm C-Serien Modul mit schnellem Trench	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司
FF200R12KT4HOSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：模块；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：IGBT MOD 1200V 320A 1100W	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司
FS200R12KT4R	文件：535.64 Kbytes Page：9 Pages	IGBT-modules	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司
FF200R12KT4	文件：0 bytes Page：0 Pages	INFINEON/英飞凌 IGBT模块	INFINEON/英飞凌上传：深圳市芯纬度科技有限公司	INFINEON/英飞凌

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更多FF200R12KT4供应商更新时间2025-8-1 14:02:00