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FDZ197PZ中文资料-20V P沟道1.5V 额定PowerTrench®薄型WL-CSP MOSFET数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDZ197PZ

功能描述

-20V P沟道1.5V 额定PowerTrench®薄型WL-CSP MOSFET

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-26 22:50:00

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FDZ197PZ规格书详情

描述 Description

FDZ197PZ采用飞兆先进的1.5 V PowerTrench®工艺和最新“微间距”WLCSP封装工艺设计,最大限度地减小了PCB空间和rDS(on)。 先进的WLCSP MOSFET彰显了封装技术的突破性进展,使该器件将卓越的传热特性、超薄型封装、低栅极电荷和低rDS(on)融合为一体。

特性 Features

VGS = -4.5 V,ID = -2.0 A时,最大rDS(on) = 64 mΩ
最大rDS(on) = 71 mmΩ (VGS = -2.5 V, ID= -2.0 A)
最大rDS(on) = 79 mmΩ (VGS = -1.8 V, ID= -1.0 A)
最大rDS(on) = 95 mmΩ (VGS = -1.5 V, ID= -1.0 A)
仅占1.5 mm2的PCB空间。比2 x 2 BGA所占空间少50%。
超薄封装: 安装在PCB上时高度低于0.65 mm
ESD保护
符合RoHS标准

应用 Application

This product is general usage and suitable for many different applications.Battery ManagementLoad SwitchBattery Protection

技术参数

  • 制造商编号

    :FDZ197PZ

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Compliance

    :Pb-freeHalide free

  • Status

    : Active  

  • Description

    : P-Channel 1.5V Specified PowerTrench® Thin WL-CSP MOSFET -20V

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-20

  • VGS Max (V)

    :8

  • VGS(th) Max (V)

    :-1

  • ID Max (A)

    :-3.8

  • PD Max (W)

    :1.9

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :71

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :64

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :64

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :11

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :18

  • Ciss Typ (pF)

    :1180

  • Package Type

    :WLCSP-6

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FSC
23+
NA
12000
全新原装假一赔十
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FAIRCHILD/仙童
25+
WL-CSP
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