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FDZ1905PZ	文件：297.66 Kbytes Page：6 Pages	Common Drain P-Channel 1.5V PowerTrench짰 WL-CSP MOSFET -20V -3A, 123m廓 General Description This device is designed specifically as a single package solution for the battery charge switch in cellular handset and other ultra-portable applications. It features two common drain P-channel MOSFETs, which enables bidirectional current flow, on Fairchild’s advanced 1.5V Pow 文件：297.66 Kbytes 页数：6 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FDZ191P	文件：304.51 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel 1.5V PowerTrench짰 WL-CSP MOSFET General Description Designed on Fairchilds advanced 1.5V PowerTrench process with state of the art low pitch WLCSP packaging process, the FDZ191P minimizes both PCB space and rDS(on). This advanced WLCSP MOSFET embodies a breakthrough in packaging technology which enables the device to combine ex 文件：304.51 Kbytes 页数：7 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FDZ191P	文件：352.32 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel 1.5V PowerTrenchTM WL-CSP MOSFET General Description Designed on Fairchilds advanced 1.5V PowerTrench process with state of the art low pitch WLCSP packaging process, the FDZ191P minimizes both PCB space and rDS(on). This advanced WLCSP MOSFET embodies a breakthrough in packaging technology which enables the device to combine ex 文件：352.32 Kbytes 页数：7 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FDZ191P_0612	文件：304.51 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel 1.5V PowerTrench짰 WL-CSP MOSFET General Description Designed on Fairchilds advanced 1.5V PowerTrench process with state of the art low pitch WLCSP packaging process, the FDZ191P minimizes both PCB space and rDS(on). This advanced WLCSP MOSFET embodies a breakthrough in packaging technology which enables the device to combine ex 文件：304.51 Kbytes 页数：7 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FDZ193P	文件：260.87 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel 1.7V PowerTrench WL-CSP MOSFET -20V, -1A, 90mohm General Description Designed on Fairchilds advanced 1.7V PowerTrench® process with state of the art low pitch WLCSP packaging process, the FDZ193P minimizes both PCB space and rDS(on). This advanced WLCSP MOSFET embodies a breakthrough in packaging technology which enables the device to combine e 文件：260.87 Kbytes 页数：7 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FDZ197PZ	文件：294.69 Kbytes Page：7 Pages	丝印：7；Package：WLCS-61x1,5；P-Channel 1.5 V Specified PowerTrench짰 Thin WL-CSP MOSFET -20 V, -3.8 A, 64 m廓 General Description Designed on Fairchilds advanced 1.5 V PowerTrench® process with state of the art fine pitch WLCSP packaging process, the FDZ197PZ minimizes both PCB space and rDS(on). This advanced WLCSP MOSFET embodies a breakthrough in packaging technology which enables the device to combin 文件：294.69 Kbytes 页数：7 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FDZ10	文件：259.24 Kbytes Page：3 Pages	丝印：0L；Package：SOD-323；Zener Diode 文件：259.24 Kbytes 页数：3 Pages	FS	FS
FDZ10E	文件：405.22 Kbytes Page：6 Pages	Zener Voltage Regulators 文件：405.22 Kbytes 页数：6 Pages	FS	FS
FDZ10F	文件：415.25 Kbytes Page：4 Pages	Zener Voltage Regulators 文件：415.25 Kbytes 页数：4 Pages	FS	FS
FDZ10SOD723	文件：603.78 Kbytes Page：5 Pages	丝印：X9；Package：SOD-723；ZENER DIODE 文件：603.78 Kbytes 页数：5 Pages	FS	FS

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
P-Channel
Configuration：
Dual
V(BR)DSS Min (V)：
-20
VGS Max (V)：
8
VGS(th) Max (V)：
-1
ID Max (A)：
-3
PD Max (W)：
1.5
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)：
Q1=Q2=141
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
Q1=Q2=126
Package Type：
WLCSP-6

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