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FDS9958_F085中文资料双 P 沟道,Power Trench® MOSFET,-60V,-2.9A,105mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDS9958_F085

功能描述

双 P 沟道,Power Trench® MOSFET,-60V,-2.9A,105mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-10-2 16:01:00

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FDS9958_F085规格书详情

描述 Description

这些 P-沟道逻辑电平 MOSFET 采用飞兆先进的 PowerTrench® 工艺生产,这一先进工艺是专为最小化通态电阻并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的 此类器件非常适合便携式电子应用: 负载开关和电源管理、电池充电和保护电路。

特性 Features

•最大值 rDS(on) = 105 mΩ(VGS = -10 V、ID = -2.9 A)
•最大值 rDS(on) = 135 mΩ(VGS = -4.5 V、ID = -2.5 A)
•符合 AEC Q101
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• 信息娱乐
• 便携导航
• 其他
• 传动系
• 安全和控制
• 舒适与便捷
• 人体电子
• 车辆安全系统
• 其他车用
• Load Switch
• Power Management

技术参数

  • 制造商编号

    :FDS9958_F085

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • Halide free

    :H

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-60

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :-3

  • ID Max (A)

    :-2.9

  • PD Max (W)

    :2

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :Q1=Q2=135

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :Q1=Q2=105

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :16

  • Ciss Typ (pF)

    :765

  • Package Type

    :SOIC-8

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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