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FDS9958中文资料-60V双P沟道PowerTrench® MOSFET数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDS9958

功能描述

-60V双P沟道PowerTrench® MOSFET

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-10-2 19:09:00

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FDS9958规格书详情

描述 Description

这些P沟道逻辑电平额定MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产,这一先进工艺是专为最大程度地降低通态电阻并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的。此类器件非常适合便携式电子应用: 负载开关和电源管理、电池充电和保护电路。

特性 Features

•VGS = -10V,ID = -2.9A时,最大rDS(on) = 105 mΩ
•最大rDS(on) =135mΩ (VGS = -4.5V, ID = -2.5A)
•符合RoHS标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.
• Load Switch
• Power Management

技术参数

  • 制造商编号

    :FDS9958

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    :Dual

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-60

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :-3

  • ID Max (A)

    :-2.9

  • PD Max (W)

    :2

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :Q1=Q2=135

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :Q1=Q2=105

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :8

  • Ciss Typ (pF)

    :765

  • Package Type

    :SOIC-8

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