Dual P-Channel PowerTrench짰 MOSFET

General Description These P-channel logic level specified MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance Features ● Max r

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Fairchild

仙童半导体

丝印：FDS9958；Package：SO-8；Dual P-Channel PowerTrench짰 MOSFET -60V, -2.9A, 105m廓

文件：447.33 Kbytes 页数：6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

-60V双P沟道PowerTrench® MOSFET

这些P沟道逻辑电平额定MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大程度地降低通态电阻并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的。此类器件非常适合便携式电子应用： 负载开关和电源管理、电池充电和保护电路。 •VGS = -10V，ID = -2.9A时，最大rDS(on) = 105 mΩ\n•最大rDS(on) =135mΩ （VGS = -4.5V, ID = -2.5A）\n•符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体

Dual P-Channel PowerTrench짰 MOSFET

文件：555.65 Kbytes 页数：6 Pages

Fairchild

仙童半导体

Dual P-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

双 P 沟道，Power Trench® MOSFET，-60V，-2.9A，105mΩ

这些 P-沟道逻辑电平 MOSFET 采用飞兆先进的 PowerTrench® 工艺生产，这一先进工艺是专为最小化通态电阻并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的 此类器件非常适合便携式电子应用： 负载开关和电源管理、电池充电和保护电路。 •最大值 rDS(on) = 105 mΩ（VGS = -10 V、ID = -2.9 A）\n•最大值 rDS(on) = 135 mΩ（VGS = -4.5 V、ID = -2.5 A）\n•符合 AEC Q101\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体