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FDS9953A中文资料双 P 沟道,Power Trench® MOSFET,30V,-2.9A,130mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDS9953A

功能描述

双 P 沟道,Power Trench® MOSFET,30V,-2.9A,130mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-10-2 20:00:00

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FDS9953A规格书详情

描述 Description

此P沟道MOSFET是采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产的稳固栅极版本。 它已针对需要大范围栅极驱动电压额定值(4.5V – 25V)的电源管理应用进行了优化。

特性 Features

•-2.9 A, -30 V
•RDS(on) = 130 mΩ@ VGS = -10 V
•RDS(on) = 200 mΩ @ VGS = -4.5 V
•低栅极电荷(2.5nC典型值)
•快速开关速度
•高性能沟道技术可实现极低 RDS(ON)
•高功率和高电流处理能力

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.
• Power Management
• Load Switch
• Battery Protection

技术参数

  • 制造商编号

    :FDS9953A

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    :Dual

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-30

  • VGS Max (V)

    :25

  • VGS(th) Max (V)

    :-3

  • ID Max (A)

    :-2.9

  • PD Max (W)

    :2

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :Q1=Q2=200

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :Q1=Q2=130

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :2.5

  • Ciss Typ (pF)

    :185

  • Package Type

    :SOIC-8

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