FDS9953A数据手册ONSEMI中文资料规格书
FDS9953A规格书详情
描述 Description
此P沟道MOSFET是采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产的稳固栅极版本。 它已针对需要大范围栅极驱动电压额定值(4.5V – 25V)的电源管理应用进行了优化。
特性 Features
•-2.9 A, -30 V
•RDS(on) = 130 mΩ@ VGS = -10 V
•RDS(on) = 200 mΩ @ VGS = -4.5 V
•低栅极电荷(2.5nC典型值)
•快速开关速度
•高性能沟道技术可实现极低 RDS(ON)
•高功率和高电流处理能力
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
• Power Management
• Load Switch
• Battery Protection
技术参数
- 制造商编号
:FDS9953A
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- Channel Polarity
:P-Channel
- Configuration
:Dual
- V(BR)DSS Min (V)
:-30
- VGS Max (V)
:25
- VGS(th) Max (V)
:-3
- ID Max (A)
:-2.9
- PD Max (W)
:2
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:Q1=Q2=200
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:Q1=Q2=130
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:2.5
- Ciss Typ (pF)
:185
- Package Type
:SOIC-8
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
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FAIRCHILD/仙童 |
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FAIRCHILD |
20+ |
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FAI |
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SO-8 |
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25+ |
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FAIRCHILD |
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60000 |
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FAIRCHILD/仙童 |
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