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FDS89141中文资料双 N 沟道,PowerTrench® MOSFET,100V,3.5A,62mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDS89141

功能描述

双 N 沟道,PowerTrench® MOSFET,100V,3.5A,62mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-10-1 22:59:00

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FDS89141规格书详情

描述 Description

本 N 沟道 MOSFET 采用 Fairchild 先进的 PowerTrench® 工艺制造,该工艺专为实现 rDS(on)、开关性能和坚固性而进行了优化。

特性 Features

•屏蔽栅极 MOSFET 技术
•VGS = 10 V,ID = 3.5 A时,最大rDS(on) = 62 mΩ
•VGS = 6 V,ID = 2.8 A时,最大rDS(on) = 100 mΩ
•高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)
• High Power and Current Handling Capability in a Widely Used Surface Mount Package
•100% 经过 UIL 测试
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.
• Synchronous Rectifier
• Primary Switch for Bridge Topology

技术参数

  • 制造商编号

    :FDS89141

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Dual

  • V(BR)DSS Min (V)

    :100

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :3.5

  • PD Max (W)

    :31

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :Q1=Q2=62

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :2.9

  • Ciss Typ (pF)

    :299

  • Package Type

    :SOIC-8

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FDS
24+
NA/
3626
原装现货,当天可交货,原型号开票
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FAIRCHILD/仙童
22+
SOP-8
100000
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FAIRCHILD/仙童
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原装正品,假一罚十!
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24+
SOP-8
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