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FDS89141	文件：300 bytes Page：1 Pages	双 N 沟道，PowerTrench® MOSFET，100V，3.5A，62mΩ 本 N 沟道 MOSFET 采用 Fairchild 先进的 PowerTrench® 工艺制造，该工艺专为实现 rDS(on)、开关性能和坚固性而进行了优化。 •屏蔽栅极 MOSFET 技术\n•VGS = 10 V，ID = 3.5 A时，最大rDS(on) = 62 mΩ\n•VGS = 6 V，ID = 2.8 A时，最大rDS(on) = 100 mΩ\n•高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)\n• High Power and Current Handling Capability in a Widely Used Surface Mount Package\n•100% 经过 UIL 测试\n•符合 RoHS 标准;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDS89141	文件：245.85 Kbytes Page：6 Pages	Dual N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100 V, 3.5 A, 62 m廓文件：245.85 Kbytes 页数：6 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FDS89161LZ	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOP8	ON/安森美上传：深圳市创盛芯科技有限公司	ON/安森美
FDS8949	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOP-8	FAIRCHILD 仙童半导体上传：深圳市创博伟业科技有限公司	FAIRCHILD
FDS8958	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOP8	FSC 上传：深圳市鹏越电子公司	FSC

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更多FDS89141供应商更新时间2026-4-17 18:03:00