P-Channel PowerTrench MOSFET -30V, -13A, 9mOhm

General Description This P-Channel MOSFET is producted using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance. This device is well suited for Power Management and load switching applications common in Notebook Computers

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FAIRCHILD

仙童半导体

丝印：6679；Package：SOP-8；P-Channel Enhancement Mode MOSFET

FEATURES -30V/-15A Rosion) =6-8MQ(Max.) @ Vg =-10V Roson =13MQ(Max) @ V,, =-4.5V

文件：1.20384 Mbytes 页数：3 Pages

TECHPUBLIC

台舟电子

丝印：FDS6679AZ；Package：SOP-8；P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

APPLICATIONS • Load Switch • Notebook Adaptor Switch

文件：289.73 Kbytes 页数：8 Pages

EVVOSEMI

翊欧

P-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features  VDS= -30V, ID= -12A RDS(ON)

文件：1.69435 Mbytes 页数：5 Pages

BYCHIP

百域芯

P-Channel PowerTrench짰 MOSFET

文件：434.54 Kbytes 页数：6 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

P-Channel PowerTrench짰 MOSFET

文件：434.54 Kbytes 页数：6 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件：995.81 Kbytes 页数：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-30V，-13A，9mΩ

此P沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。该器件非常适用于笔记本电脑和便携式电池组中的电源管理和负载开关应用。 •VGS = -10V，ID = -13A时，rDS(on) = 9.3 mΩ（最大值）\n•VGS = -4.5V，ID = -11A时，rDS(on) = 14.8 mΩ（最大值）\n•扩展了VGS范围(-25V)，适合电池应用\n•HBM静电放电保护等级，典型值为6KV（注3）\n•高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)\n•高功率和高电流处理能力\n•高功率和高电流处理能力;

ONSEMI

安森美半导体