FDS6679AZ中文资料P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-30V，-13A，9mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDS6679AZ规格书详情
描述 Description
此P沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。该器件非常适用于笔记本电脑和便携式电池组中的电源管理和负载开关应用。
特性 Features
•VGS = -10V，ID = -13A时，rDS(on) = 9.3 mΩ（最大值）
•VGS = -4.5V，ID = -11A时，rDS(on) = 14.8 mΩ（最大值）
•扩展了VGS范围(-25V)，适合电池应用
•HBM静电放电保护等级，典型值为6KV（注3）
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)
•高功率和高电流处理能力
•高功率和高电流处理能力
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDS6679AZ
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：P-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：-30
- VGS Max (V)
：25
- VGS(th) Max (V)
：-3
- ID Max (A)
：-13
- PD Max (W)
：2.5
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：14.8
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：9.3
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：12
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：38
- Ciss Typ (pF)
：2890
- Package Type
：SOIC-8
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