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FDP047N10数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDP047N10

功能描述

功率 MOSFET,N 沟道,QFET®,100 V,164 A,4.7 mΩ,TO-220

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 23:00:00

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FDP047N10规格书详情

描述 Description

该 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体的 PowerTrench®工艺生产,这一先进工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持卓越开关性能而定制的。

特性 Features

•RDS(on) = 3.9mΩ (典型值)@ VGS = 10V,ID = 75A
•快速开关速度
•低栅极电荷
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)
•高功率和高电流处理能力
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• AC-DC商用电源
• AC-DC商用电源-服务器和工作站
• AC-DC商用电源-台式计算机
• 不间断电源
• 其他数据处理
• 电动自行车
• Synchronous Rectification for ATX / Server / Telecom PSU
• Battery Protection Circuit
• Motor Drives
• Uninterruptible Power Supplies
• Micro Solar Inverters

技术参数

  • 制造商编号

    :FDP047N10

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :100

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4.5

  • ID Max (A)

    :164

  • PD Max (W)

    :375

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :4.7

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :160

  • Ciss Typ (pF)

    :11500

  • Package Type

    :TO-220-3

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