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FDP047AN08A0中文资料N 沟道，PowerTrench® MOSFET，75V，80A，4.7mΩ数据手册ONSEMI规格书
| 厂商型号 |
FDP047AN08A0 |
| 参数属性 | FDP047AN08A0 封装/外壳为TO-220-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个；产品描述：MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3 |
| 功能描述 | N 沟道，PowerTrench® MOSFET，75V，80A，4.7mΩ |
| 封装外壳 | TO-220-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-21 20:00:00 |
| 人工找货 | FDP047AN08A0价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
FDP047AN08A0规格书详情
特性 Features
•rDS(ON) = 4.0 mΩ (Typ.), VGS = 10V, ID = 80A
•Qg(tot) = 92nC (Typ.), VGS = 10V
•Low Miller Charge
•Low QRR Body Diode
•UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)
简介
FDP047AN08A0属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的FDP047AN08A0晶体管 - FET，MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。
技术参数
更多- 产品编号：
FDP047AN08A0-F102
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- FET 类型：
N 通道
- 技术：
MOSFET（金属氧化物）
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
15A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
6V，10V
- Vgs（最大值）：
±20V
- 功率耗散（最大值）：
310W（Tc）
- 工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 供应商器件封装：
TO-220-3
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 描述：
MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
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