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FDP047AN08A0数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF

厂商型号 |
FDP047AN08A0 |
参数属性 | FDP047AN08A0 封装/外壳为TO-220-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3 |
功能描述 | N 沟道,PowerTrench® MOSFET,75V,80A,4.7mΩ |
封装外壳 | TO-220-3 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-6 18:02:00 |
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FDP047AN08A0规格书详情
特性 Features
•rDS(ON) = 4.0 mΩ (Typ.), VGS = 10V, ID = 80A
•Qg(tot) = 92nC (Typ.), VGS = 10V
•Low Miller Charge
•Low QRR Body Diode
•UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)
简介
FDP047AN08A0属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的FDP047AN08A0晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。
技术参数
更多- 产品编号:
FDP047AN08A0-F102
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- FET 类型:
N 通道
- 技术:
MOSFET(金属氧化物)
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
15A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
6V,10V
- Vgs(最大值):
±20V
- 功率耗散(最大值):
310W(Tc)
- 工作温度:
-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 供应商器件封装:
TO-220-3
- 封装/外壳:
TO-220-3
- 描述:
MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
TO220 |
1709 |
询价 | |||
Fairchild |
17+ |
SOT23 |
9888 |
全新原装现货 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO-220 |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 |
询价 | ||
FSC |
24+ |
TO-220 |
12000 |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
询价 | ||
Fairchild(飞兆/仙童) |
23+ |
NA |
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FAIRCHILD/仙童 |
08+ |
TO-220 |
1686 |
询价 | |||
FAIRCHILD/仙童 |
1942+ |
TO-220 |
9852 |
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30000 |
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FSC/ON |
23+ |
原包装原封 □□ |
3909 |
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询价 | ||
FAICHILD |
23+ |
TO-220 |
5600 |
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询价 |