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FDP047AN08A0中文资料N 沟道,PowerTrench® MOSFET,75V,80A,4.7mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDP047AN08A0

参数属性

FDP047AN08A0 封装/外壳为TO-220-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3

功能描述

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,75V,80A,4.7mΩ
MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3

封装外壳

TO-220-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-11-17 23:00:00

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FDP047AN08A0规格书详情

特性 Features

•rDS(ON) = 4.0 mΩ (Typ.), VGS = 10V, ID = 80A
•Qg(tot) = 92nC (Typ.), VGS = 10V
•Low Miller Charge
•Low QRR Body Diode
•UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)

简介

FDP047AN08A0属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由ONSEMI制造生产的FDP047AN08A0晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    FDP047AN08A0-F102

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • FET 类型:

    N 通道

  • 技术:

    MOSFET(金属氧化物)

  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):

    15A(Tc)

  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):

    6V,10V

  • Vgs(最大值):

    ±20V

  • 功率耗散(最大值):

    310W(Tc)

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 供应商器件封装:

    TO-220-3

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 描述:

    MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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