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HMC338	文件：295.5 Kbytes Page：8 Pages	GaAsMMICSUB-HARMONICALLYPUMPEDMIXER,26-33GHz GeneralDescription TheHMC338chipisageneralpurposesub-harmonicallypumped(x2)MMICmixerwithanintegratedLOamplifierwhichcanbeusedasanupconverterordownconverterinthe26to33GHzfrequencyrange.ThechiputilizesaGaAsPHEMTtechnologythatresultsinasmalloverallchi	Hittite Hittite Microwave Corporation	Hittite
HMC338	文件：949.15 Kbytes Page：11 Pages	GeneralPurposeApplications GeneralDescription TheHMC338chipisageneralpurposesub-harmonicallypumped(x2)MMICmixerwithanintegratedLOamplifierwhichcanbeusedasanupconverterordownconverterinthe26to33GHzfrequencyrange.ThechiputilizesaGaAsPHEMTtechnologythatresultsinasmalloverallchi	MICROSS Micross Components	MICROSS
HMC338	文件：412.55 Kbytes Page：8 Pages	GaAsMMICSUB-HARMONICALLYPUMPEDMIXER,26-33GHz	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
HMT338	文件：2.69914 Mbytes Page：10 Pages	HMT330SeriesHumidityandTemperatureTransmitters Features Full0…100RHmeasurement, temperaturerangeupto+180°C (+356°F)dependingonmodel Pressuretoleranceupto100bar dependingonmodel 4thgenerationVaisalaHUMICAPâ sensorforsuperioraccuracyand stability Corrosion-resistantIP65/IP66 housing Excellentperformancei	VAISALAVaisala 维萨拉维萨拉（北京）测量技术有限公司	VAISALA
HN338	文件：343.11 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistorforswitchingandamplifierapplications??? NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistorforswitchingandamplifierapplications	SEMTECH Semtech Corporation	SEMTECH
INA338	文件：280.98 Kbytes Page：14 Pages	Wide-Temperature,PrecisionINSTRUMENTATIONAMPLIFIER	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
INA338	文件：830.11 Kbytes Page：19 Pages	INSTRUMENTATIONAMPLIFIER	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
INA338AIDGSR	文件：280.98 Kbytes Page：14 Pages	Wide-Temperature,PrecisionINSTRUMENTATIONAMPLIFIER	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
INA338AIDGSR	文件：830.11 Kbytes Page：19 Pages	INSTRUMENTATIONAMPLIFIER	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
INA338AIDGST	文件：280.98 Kbytes Page：14 Pages	Wide-Temperature,PrecisionINSTRUMENTATIONAMPLIFIER	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI

详细参数

型号：
FDN338P_Q
功能描述：
MOSFET SSOT-3 P-CH -20V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多FDN338P_Q供应商更新时间2025-5-25 9:19:00

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