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FDN338P-NL	文件：1.039819 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
FK338	文件：80.84 Kbytes Page：1 Pages	HCMOS3.3V32.768kHzSMDOscillator	FOX Fox Electronics	FOX
FRW338	文件：290.13 Kbytes Page：5 Pages	SAWResonator-RemoteControl	TEMEX temex	TEMEX
GBC338	文件：186.57 Kbytes Page：3 Pages	NPNSILICONTRANSISTOR Description TheGBC338isdesignedfordriveandoutput-stagesofaudioamplifiers. Features •HighDCCurrentGain:100~630@VCE=1V,IC=100mA •ComplementarytoGBC328	GTMGTM CORPORATION 勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司	GTM
GBC338	文件：189.07 Kbytes Page：3 Pages	TheGBC338isdesignedfordriveandoutput-stagesofaudioamplifiers	ETLE-Tech Electronics LTD 亚历电子亚历电子有限公司	ETL
GHI-ALFATSD-338	文件：95.42 Kbytes Page：1 Pages	ALFATSDBoard	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
GI338	文件：474.04 Kbytes Page：2 Pages	Incrementalencoders	IVOBaomeng Electronics (Shanghai) Co., Ltd 堡盟电子堡盟电子（上海）有限公司	IVO
GM338	文件：300.38 Kbytes Page：6 Pages	ConventionalMDCMobileRadioVersatility&SophisticationontheMove	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
GSX-338	文件：591.27 Kbytes Page：5 Pages	HighFrequencyFundamental3.2x2.5mmSMCrystal	GOLLEDGE Golledge Electronics Ltd	GOLLEDGE
HMC338	文件：303.24 Kbytes Page：8 Pages	GaAsMMICSUB-HARMONICALLYPUMPEDMIXER,26-33GHz	Hittite Hittite Microwave Corporation	Hittite

详细参数

型号：
FDN338P_Q
功能描述：
MOSFET SSOT-3 P-CH -20V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多FDN338P_Q供应商更新时间2025-5-24 14:04:00

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