Single N-Channel Power Trench MOSFET

文件：269.26 Kbytes 页数：6 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件：1.85533 Mbytes 页数：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

N 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V，6.5A，23mΩ

这一N沟道MOSFET器件采用飞兆半导体的高级PowerTrench®工艺生产，该工艺专为实现rDS(on)、开关性能以及坚固性而优化。 •VGS = 10 V，ID = 6.5 A时，最大rDS(on) = 23mΩ\n•VGS = 4.5 V，ID = 6.0 A时，最大rDS(on) = 36mΩ\n•高性能沟道技术可实现极低的 rDS(on)\n•高功率和高电流处理能力，采用广泛使用的表面贴装封装\n•快速开关速度\n•100%经过UIL测试\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

過 5mm Resin Mold Type Infrared Emitting Diode

■ Features 1. High output power GL528 Ig: TYP. 12mW/sr at IF = 50mA GL538 Ig: TYP. 15mW/sr at IF = 50mA 2. Beam angle GL528/GL538 ∆θ : TYP. ± 13˚ GL527/GL537 ∆θ : TYP. ± 25˚ 3. φ 5mm epoxy resin package ■ Applications 1. Infrared remote controllers for TVs, VCRs, a

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SHARPSharp Corporation

夏普

5MM RESIN MOLD TYPE INFRARED LIGHT EMITTING DIODE

■ Features 1. High output power GL528 Ig: TYP. 12mW/sr at IF = 50mA GL538 Ig: TYP. 15mW/sr at IF = 50mA 2. Beam angle GL528/GL538 ∆θ : TYP. ± 13˚ GL527/GL537 ∆θ : TYP. ± 25˚ 3. φ 5mm epoxy resin package ■ Applications 1. Infrared remote controllers for TVs, VCRs, a

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SHARPSharp Corporation

夏普

Hybrid Assemblies OPTIC RECEIVER MODULES

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ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商