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FDMS8333L中文资料N 沟道,PowerTrench® MOSFET,40V,76A,3.1mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDMS8333L

功能描述

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,40V,76A,3.1mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-9-16 17:24:00

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FDMS8333L规格书详情

描述 Description

此 N 沟道 MOSFET 使用同步或传统的开关 PWM 控制器,专为提高 DC-DC 转换器的整体效率并最大限度降低其开关节点振铃噪声而设计。 已经针对低栅极电荷、低RDS(on)、快速开关速度和软体二极管反向恢复性能进行了优化。

特性 Features

• 最大值 RDS(on) = 3.1 mΩ(VGS = 10 V, ID = 22 A时)
• 最大值 RDS(on) = 4.3 mΩ(VGS = 4.5 V, ID = 19 A时)
• 低 rDS(on) 和高效的先进硅封装
• 下一代先进体二极管技术,专为软恢复设计
• MSL1 耐用封装设计
• 100% 经过 UIL 测试
• 符合 RoHS 标准

应用 Application

• 消费电子

技术参数

  • 制造商编号

    :FDMS8333L

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :40

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :3

  • ID Max (A)

    :76

  • PD Max (W)

    :69

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :4.3

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :3.1

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :46

  • Ciss Typ (pF)

    :3245

  • Package Type

    :PQFN-8

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