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FDMS8320LDC中文资料N 沟道双 CoolTM 56 Power Trench® MOSFET 40V，192A，1.1mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDMS8320LDC规格书详情
描述 Description
此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 Power Trench®工艺生产。先进的硅技术和 Dual Cool™ 封装技术完美融合，可在提供最小 rDS(on)的同时通过极低的结至环境热阻保持卓越的开关性能。
特性 Features
•rDS(on)最大值 = 1.1 mΩ，需 VGS = 10 V、ID = 44 A
•rDS(on)最大值 = 1.5 mΩ，需 VGS = 4.5 V、ID = 37 A
•先进的封装技术和硅技术相结合，实现了低 rDS(on) 和高效率
•下一代增强型体二极管技术，专为软恢复设计
•MSL1 耐用封装设计
•100%经过UIL测试
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• 发电和配电
技术参数
- 制造商编号
：FDMS8320LDC
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：40
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：3
- ID Max (A)
：192
- PD Max (W)
：125
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：1.5
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：1.1
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：57
- Ciss Typ (pF)
：8310
- Package Type
：DFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
14+ |
QFN |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ONSEMI |
25+ |
PQFN-8 |
10065 |
原装正品,有挂有货,假一赔十 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON/安森美 |
2447 |
SMD |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
ON Semiconductor |
2022+ |
原厂原包装 |
6800 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ON(安森美) |
25+ |
DualCool-56-8 |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
22+ |
QFN |
20000 |
公司只做原装 品质保障 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
13+ |
QFN |
10 |
进口原装公司现货 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
2022+ |
DFN56 |
30000 |
进口原装现货供应,绝对原装 假一罚十 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
1709+ |
QFN |
2586 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 |
