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FDMS8320LDC中文资料N 沟道双 CoolTM 56 Power Trench® MOSFET 40V,192A,1.1mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDMS8320LDC

功能描述

N 沟道双 CoolTM 56 Power Trench® MOSFET 40V,192A,1.1mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-28 20:00:00

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FDMS8320LDC规格书详情

描述 Description

此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 Power Trench®工艺生产。先进的硅技术和 Dual Cool™ 封装技术完美融合,可在提供最小 rDS(on)的同时通过极低的结至环境热阻保持卓越的开关性能。

特性 Features

•rDS(on)最大值 = 1.1 mΩ,需 VGS = 10 V、ID = 44 A
•rDS(on)最大值 = 1.5 mΩ,需 VGS = 4.5 V、ID = 37 A
•先进的封装技术和硅技术相结合,实现了低 rDS(on) 和高效率
•下一代增强型体二极管技术,专为软恢复设计
•MSL1 耐用封装设计
•100%经过UIL测试
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• 发电和配电

技术参数

  • 制造商编号

    :FDMS8320LDC

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :40

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :3

  • ID Max (A)

    :192

  • PD Max (W)

    :125

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :1.5

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :1.1

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :57

  • Ciss Typ (pF)

    :8310

  • Package Type

    :DFN-8

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