FDMS7670中文资料N 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V，3.8mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDMS7670规格书详情
描述 Description
此N沟道MOSFET使用同步或传统的开关PWM控制器，专为提高DC/DC转换器的整体效率并最大限度降低其开关节点振铃噪声而设计。 已经针对低栅极电荷、低rDS(on)、快速开关速度和体二极管反向恢复性能进行了优化。
特性 Features
•VGS = 10 V，ID = 21 A时，最大rDS(on) = 3.8 mΩ
•VGS = 4.5 V，ID = 17 A时，最大rDS(on) = 5.0 mΩ
•先进的封装和硅设计，实现了低rDS(on)和高效率
•下一代先进体二极管技术，专为软恢复设计在同步降压转换器应用中以最低的EMI提供类似于肖特基二极管的性能。
•MSL1耐用封装设计
•100%经过UIL测试
•符合RoHS标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDMS7670
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：30
- VGS Max (V)
：20
- VGS(th) Max (V)
：3
- ID Max (A)
：21
- PD Max (W)
：62
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：45
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：3.8
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：14
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：17
- Ciss Typ (pF)
：3085
- Package Type
：PQFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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