N 沟道，PowerTrench® SyncFETTM，30V，211A，1.09mΩ

FDMS1D4N03S 设计用于最大限度地降低功率转换应用中的损耗。 先进的硅和封装技术完美融合，在保持卓越开关性能的同时，提供了最低的rDS(on)。 该器件可被额外作为一个有效的单片肖特基体二极管使用。 •最大 rDS(on) = 1.09 mΩ（VGS = 10 V、ID = 38 A）\n•最大 rDS(on) = 1.3 mΩ（VGS = 4.5 V、ID = 35 A）\n•高性能技术，实现极低的 rDS(on)\n•SyncFETTM 肖特基体二极管\n•100%经过UIL测试\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel PowerTrench SyncFET

文件：613.48 Kbytes 页数：9 Pages

ONSEMI

安森美半导体

FAIRCHILD/仙童
QFN

FAIRCHILD/仙童

上传：深圳市澳亿芯电子科技有限公司

Fairchild
QFN-56

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

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ON
QFN-8

ON

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