N-Channel UltraFET Trench MOSFET 200V, 20A, 77mohm

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FAIRCHILD

仙童半导体

N 沟道，UltraFET Trench® MOSFET，200V，20A，77mΩ

UItraFET器件结合了各种特性，可在功率转换应用中提供基准效率。 由于针对rDS(on)、低ESR、低总电荷和米勒栅极电荷进行了优化，这些器件是高频DC-DC转换器的理想选择。 •VGS = 10V，ID = 3.7A时，最大rDS(on) = 77mΩ\n•VGS = 6V，ID = 3.5A时，最大rDS(on) = 88mΩ\n•低米勒电荷\n•符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel UltraFET Trench MOSFET 200V, 20A, 77m

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FAIRCHILD

仙童半导体

N-Channel UltraFET Trench짰 MOSFET 200V, 3.9A, 70m?

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FAIRCHILD

仙童半导体

N-Channel MOSFET

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KEXIN

科信电子

N-Channel UltraFET Trench® MOSFET 200V, 3.9A, 70mΩ

Features Max rDS(on) = 70mΩ at VGS = 10V, ID = 3.9A Max rDS(on) = 80mΩ at VGS = 6V, ID = 3.5A Fast switching speed High performance trench technology for extremely low rDS(on) RoHS compliant General Description This single N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s

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安森美半导体