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FDMS1D4N03S中文资料N 沟道,PowerTrench® SyncFETTM,30V,211A,1.09mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDMS1D4N03S

功能描述

N 沟道,PowerTrench® SyncFETTM,30V,211A,1.09mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-28 8:30:00

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FDMS1D4N03S规格书详情

描述 Description

FDMS1D4N03S 设计用于最大限度地降低功率转换应用中的损耗。 先进的硅和封装技术完美融合,在保持卓越开关性能的同时,提供了最低的rDS(on)。 该器件可被额外作为一个有效的单片肖特基体二极管使用。

特性 Features

•最大 rDS(on) = 1.09 mΩ(VGS = 10 V、ID = 38 A)
•最大 rDS(on) = 1.3 mΩ(VGS = 4.5 V、ID = 35 A)
•高性能技术,实现极低的 rDS(on)
•SyncFETTM 肖特基体二极管
•100%经过UIL测试
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDMS1D4N03S

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :30

  • VGS Max (V)

    :16

  • VGS(th) Max (V)

    :3

  • ID Max (A)

    :211

  • PD Max (W)

    :74

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :1.3

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :1.09

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :28

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :46

  • Ciss Typ (pF)

    :7320

  • Package Type

    :PQFN-8

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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