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FDD86581_F085	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道，PowerTrench® MOSFET，60 V，25 A，15 mΩ N-Channel PowerTrench® MOSFET 60 V, 25 A, 15 mΩ • 典型值 RDS(on) = 12.3 mΩ（VGS = 10 V、ID = 25 A）\n• 典型值 Qg(tot) = 12.6 nC（VGS = 10 V、ID = 25 A）\n• UIS 能力\n• 符合RoHS标准\n•符合 AEC Q101 标准;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDD8870	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-252	Fairchild 仙童半导体上传：深圳市创博伟业科技有限公司	Fairchild
FDD8876	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-252	ON 上传：深圳市中广亿科技发展有限公司	ON
FDD9509L-F085	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-252	ON 上传：深圳市众芯源半导体有限公司	ON
FDD9509L-F085	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-252	ONSEMI 安森美半导体上传：深圳市众芯源半导体有限公司	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
V(BR)DSS Min (V)：
60
VGS Max (V)：
±20
VGS(th) Max (V)：
4
ID Max (A)：
25
PD Max (W)：
48.4
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
15
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
12.6
Ciss Typ (pF)：
880
Package Type：
DPAK-3/TO-252-3

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更多FDD86581_F085供应商更新时间2025-12-12 15:08:00

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