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FDD9509L-F085

P 沟道,PowerTrench® MOSFET,-40 V,-100 A,4.4 mΩ

P-Channel POWERTRENCH® MOSFET, -40 V, -100 A, 4.4 mΩ • Typical RDS(on) = 6.0 mΩ at VGS = -10V, ID = -70 A\n• Typical Qg(tot) = 50 nC at VGS = -10V, ID = -70 A\n•UIS Capability\n•RoHS Compliant\n• Qualified to AEC Q101;

ONSEMI

安森美半导体

FDD9509L-F085

丝印:FDD9509L;Package:D-PAK;MOSFET - P-Channel PowerTrench

文件:337.82 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

FDWS9509L-F085

P-Channel Logic Level Power Trench짰 MOSFET - 40 V, - 65 A, 8.0 m

文件:972.04 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

FDD9509L-F085

ON
TO-252

ON

FDD9509L-F085

Onsemi
TO-252

ONSEMI

安森美半导体

上传:深圳市众芯源半导体有限公司

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • AEC Qualified:

    A

  • Halide free:

    H

  • PPAP Capablee:

    P

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    P-Channel

  • Configuration:

    Single

  • V(BR)DSS Min (V):

    - 40

  • VGS Max (V):

    ± 16

  • VGS(th) Max (V):

    - 3

  • ID Max (A):

    - 90

  • PD Max (W):

    150

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ):

    15

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    7.5

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC):

    23

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    50

  • Ciss Typ (pF):

    3350

  • Package Type:

    DPAK-3/TO-252-3

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Onsemi
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ON/安森美
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TO-252-3
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TO-252-3
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更多FDD9509L-F085供应商 更新时间2025-10-9 14:01:00