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FDD9509L-F085中文资料P 沟道,PowerTrench® MOSFET,-40 V,-100 A,4.4 mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDD9509L-F085

功能描述

P 沟道,PowerTrench® MOSFET,-40 V,-100 A,4.4 mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-11-25 23:00:00

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FDD9509L-F085规格书详情

描述 Description

P-Channel POWERTRENCH® MOSFET, -40 V, -100 A, 4.4 mΩ

特性 Features

• Typical RDS(on) = 6.0 mΩ at VGS = -10V, ID = -70 A
• Typical Qg(tot) = 50 nC at VGS = -10V, ID = -70 A
•UIS Capability
•RoHS Compliant
• Qualified to AEC Q101

应用 Application

• Automotive Engine Control
• PowerTrain Management
• Solenoid and Motor Drivers
• Distributed Power Architectures and VRM
• Primary Switch for 12 V Systems
• Electrical Power Steering
• Integrated Starter/Alternator
• Electrical Power Steering
• Integrated Starter/Alternator

技术参数

  • 制造商编号

    :FDD9509L-F085

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • Halide free

    :H

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :- 40

  • VGS Max (V)

    :± 16

  • VGS(th) Max (V)

    :- 3

  • ID Max (A)

    :- 90

  • PD Max (W)

    :150

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :15

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :7.5

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :23

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :50

  • Ciss Typ (pF)

    :3350

  • Package Type

    :DPAK-3/TO-252-3

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