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FDD86581_F085中文资料N 沟道,PowerTrench® MOSFET,60 V,25 A,15 mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDD86581_F085

功能描述

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,60 V,25 A,15 mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-10-3 22:59:00

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FDD86581_F085规格书详情

描述 Description

N-Channel PowerTrench® MOSFET 60 V, 25 A, 15 mΩ

特性 Features

• 典型值 RDS(on) = 12.3 mΩ(VGS = 10 V、ID = 25 A)
• 典型值 Qg(tot) = 12.6 nC(VGS = 10 V、ID = 25 A)
• UIS 能力
• 符合RoHS标准
•符合 AEC Q101 标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDD86581_F085

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • Halide free

    :H

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • V(BR)DSS Min (V)

    :60

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :25

  • PD Max (W)

    :48.4

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :15

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :12.6

  • Ciss Typ (pF)

    :880

  • Package Type

    :DPAK-3/TO-252-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi(安森美)
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