N 沟道，PowerTrench® SyncFET™ MOSFET，30V，55A，10.5mΩ

FDD6680AS设计用于替代同步DC/DC电源中的单一MOSFET和肖特基二极管。 此30V MOSFET设计用于最大限度地提高功率转换效率，提供低RDS(ON)和低栅极电荷。 FDD6680AS包含使用飞兆半导体单片SyncFET技术的集成肖特基二极管。 FDD6680AS在同步整流器中作为低端开关的性能与FDD6680A并联一个肖特基二极管的性能相似。 •55A，30V\n•RDS(ON) = 10.5 mΩ @ VGS = 10 V\n•RDS(ON) = 13.0 mΩ @ VGS = 4.5 V\n•包含SyncFET肖特基体二极管\n•低栅极电荷（典型值21 nC）。\n•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)\n•高功率和高电流处理能力;

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET

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