丝印：FDC642P；Package：SSOT-6；MOSFET ??P-Channel, POWERTRENCH -20 V, -4 A, 100 m

Features • Typ RDS(on) = 52.5 m at VGS = −4.5 V, ID = −4 A • Typ RDS(on) = 75.3 m at VGS = −2.5 V, ID = −3.2 A • Fast Switching Speed • Low Gate Charge (6.9 nC Typical) • High Performance Trench Technology for Extremely Low RDS(on) • SUPERSOT−6 Package: Small Footprint (72 Smaller than S

文件：1.36533 Mbytes 页数：9 Pages

ONSEMI

安森美半导体

丝印：FDC642P；Package：SSOT-6；MOSFET ??P-Channel, POWERTRENCH -20 V, -4 A, 100 m

Features • Typ RDS(on) = 52.5 m at VGS = −4.5 V, ID = −4 A • Typ RDS(on) = 75.3 m at VGS = −2.5 V, ID = −3.2 A • Fast Switching Speed • Low Gate Charge (6.9 nC Typical) • High Performance Trench Technology for Extremely Low RDS(on) • SUPERSOT−6 Package: Small Footprint (72 Smaller than S

文件：1.36533 Mbytes 页数：9 Pages

ONSEMI

安森美半导体

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench?줞OSFET

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench™ MOSFET

文件：269.68 Kbytes 页数：8 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

P-Channel PowerTrench짰 MOSFET -20V, -4A, 100m廓

Features ■ Typ rDS(on) = 52.5mΩ at VGS = -4.5V, ID = -4A ■ Typ rDS(on) = 75.3mΩ at VGS = -2.5V, ID = -3.2A ■ Fast switching speed ■ Low gate charge(6.9nC typical) ■ High performance trench technology for extremely low rDS(on) ■ SuperSOTTM-6 package:small footprint(72 smaller than standard SO

文件：263.33 Kbytes 页数：7 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FDC642P P-Channel 2.5V specified PowerTrench MOSFET

Features ■ Typ rDS(on) = 52.5mΩ at VGS = -4.5V, ID = -4A ■ Typ rDS(on) = 75.3mΩ at VGS = -2.5V, ID = -3.2A ■ Fast switching speed ■ Low gate charge(6.9nC typical) ■ High performance trench technology for extremely low rDS(on) ■ SuperSOTTM-6 package:small footprint(72 smaller than standard SO

文件：132.99 Kbytes 页数：5 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

P 沟道，PowerTrench® MOSFET，2.5V 指定，-20 V，-4.0 A，65mΩ

此N沟道2.5V额定MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大程度地降低通态电阻并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的。 这些器件经过专门设计，能以极小的尺寸提供出色的功耗，适合那些不宜采用更大封装的应用。 •VGS = -4.5V，ID = -4.0A时，最大rDS(on) = 65mΩ\n•VGS = -2.5V，ID = -3.2A时，最大rDS(on) = 100mΩ\n•快速开关速度。\n•低栅极电荷（典型值11nC）。\n•高性能沟道技术可实现极低的rDS(ON)。\n•SuperSOT™-6封装： 小尺寸（比标准SO-8封装小72%）；薄型（1mm厚）\n•终端无引线且符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体

P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-20V，-4A，100mΩ

P-Channel PowerTrench® MOSFET, -20V, -4A, 100mΩ •典型 rDS(on) = 52.5 mΩ （VGS = –4.5 V、ID = –4A）\n•典型 rDS(on) = 75.3 mΩ （VGS = –2.5 V、ID = –3.2 A）\n•快速开关速度\n•低栅极电荷（6.9nC典型值）\n•高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)\n•SuperSOTÞ–封装：小尺寸（比标准 SO-8 小 72%）；超薄（1 mm 厚）。\n•符合 RoHS 标准\n•符合 AEC Q101;

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