P 沟道，PowerTrench® MOSFET，2.5V 指定，-20 V，-4.0 A，65mΩ

此N沟道2.5V额定MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大程度地降低通态电阻并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的。 这些器件经过专门设计，能以极小的尺寸提供出色的功耗，适合那些不宜采用更大封装的应用。 •VGS = -4.5V，ID = -4.0A时，最大rDS(on) = 65mΩ\n•VGS = -2.5V，ID = -3.2A时，最大rDS(on) = 100mΩ\n•快速开关速度。\n•低栅极电荷（典型值11nC）。\n•高性能沟道技术可实现极低的rDS(ON)。\n•SuperSOT™-6封装： 小尺寸（比标准SO-8封装小72%）；薄型（1mm厚）\n•终端无引线且符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体

P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-20V，-4A，100mΩ

P-Channel PowerTrench® MOSFET, -20V, -4A, 100mΩ •典型 rDS(on) = 52.5 mΩ （VGS = –4.5 V、ID = –4A）\n•典型 rDS(on) = 75.3 mΩ （VGS = –2.5 V、ID = –3.2 A）\n•快速开关速度\n•低栅极电荷（6.9nC典型值）\n•高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)\n•SuperSOTÞ–封装：小尺寸（比标准 SO-8 小 72%）；超薄（1 mm 厚）。\n•符合 RoHS 标准\n•符合 AEC Q101;

ONSEMI

安森美半导体