N 沟道 PowerTrench® MOSFET，100V，30A，24mΩ

此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻而定制的。 旨在为增强ESD电压电平而增加了G-S齐纳管。 •VGS = 10 V且ID = 8.3A时，最大rDS(on) = 24 mΩ \n•VGS = 4.5 V且ID = 6.8 A时，最大rDS(on) = 35 mΩ \n•HBM ESD保护等级> 6 KV典型值（注4）\n•与其他沟道技术相比，具有极低的Qg和Qgd\n•快速开关速度\n•100%经过UIL测试\n•符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100 V, 30 A, 24 m廓

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FAIRCHILD

仙童半导体

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100 V, 36 A, 24 m廓

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N-Channel Power Trench짰 MOSFET 100 V, 20 A, 24 m廓

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仙童半导体

N-Channel Power Trench짰 MOSFET 100 V, 22 A, 25 m廓

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