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FDB86102LZ中文资料N 沟道 PowerTrench® MOSFET，100V，30A，24mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDB86102LZ规格书详情
描述 Description
此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻而定制的。 旨在为增强ESD电压电平而增加了G-S齐纳管。
特性 Features
•VGS = 10 V且ID = 8.3A时，最大rDS(on) = 24 mΩ
•VGS = 4.5 V且ID = 6.8 A时，最大rDS(on) = 35 mΩ
•HBM ESD保护等级> 6 KV典型值（注4）
•与其他沟道技术相比，具有极低的Qg和Qgd
•快速开关速度
•100%经过UIL测试
•符合RoHS标准
应用 Application
• AC-DC商用电源
技术参数
- 制造商编号
：FDB86102LZ
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：100
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：3
- ID Max (A)
：30
- PD Max (W)
：3.1
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：35
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：24
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：7.6
- Ciss Typ (pF)
：959
- Package Type
：D2PAK-3/TO-263-2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
25 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
SOT-263 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO-2632L(D2PAK) |
18500 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO263 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
原装 |
13122 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
ON/安森美 |
24+ |
TO-263 |
505348 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
询价 | ||
onsemi |
21+ |
800 |
只做原装,优势渠道 ,欢迎实单联系 |
询价 | |||
FAIRCHILD |
25+23+ |
TO263 |
14187 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
TO263 |
1709 |
询价 |
