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FGH20N60SFDTU	文件：812.21 Kbytes Page：9 Pages	IGBT-FieldStop600V,20A Description UsingNovelFieldStopIGBTTechnology,ONSemiconductor’s newseriesofFieldStopIGBTsoffertheoptimumperformancefor AutomotiveChargers,Inverter,andotherapplicationswherelow conductionandswitchinglossesareessential. Features •HighCurrentCapability •LowS	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FGH20N60UF	文件：282.25 Kbytes Page：9 Pages	600V,20AFieldStopIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGH20N60UFD	文件：821.12 Kbytes Page：9 Pages	600V,20AFieldStopIGBT GeneralDescription UsingnovelfieldstopIGBTtechnology,Fairchild®’sfieldstopIGBTsoffertheoptimumperformanceforsolarinverter,UPS,welderandPFCapplicationswherelowconductionandswitchinglossesareessential. Features •HighCurrentCapability •LowSaturationVoltage:VCE(	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGH20N60UFDTU	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESSCHANGENOTIFICATION Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor®’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGH20N60UFDTU	文件：282.25 Kbytes Page：9 Pages	600V,20AFieldStopIGBT GeneralDescription UsingnovelfieldstopIGBTtechnology,Fairchild®’sfieldstopIGBTsoffertheoptimumperformanceforsolarinverter,UPS,welderandPFCapplicationswherelowconductionandswitchinglossesareessential. Features •HighCurrentCapability •LowSaturationVoltage:VCE(	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGP20N60UFD	文件：746.29 Kbytes Page：9 Pages	600V,20AFieldStopIGBT GeneralDescription UsingNovelFieldStopIGBTTechnology,Fairchild’snewseriesofFieldStopIGBTsoffertheoptimumperformanceforInductionHeating,UPS,SMPSandPFCapplicationswherelowconductionandswitchinglossesareessential. Features •Highcurrentcapability •Low	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGP20N60UFDTU	文件：746.29 Kbytes Page：9 Pages	600V,20AFieldStopIGBT GeneralDescription UsingNovelFieldStopIGBTTechnology,Fairchild’snewseriesofFieldStopIGBTsoffertheoptimumperformanceforInductionHeating,UPS,SMPSandPFCapplicationswherelowconductionandswitchinglossesareessential. Features •Highcurrentcapability •Low	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FIR20N60AFG	文件：2.33058 Mbytes Page：8 Pages	600VN-ChannelMOSFET-T	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司	FOSTER
FIR20N60FG	文件：4.36088 Mbytes Page：10 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司	FOSTER
FML20N60	文件：787.87 Kbytes Page：7 Pages	20Amps600VoltageNChannelMOSFET	FCIFirst Components International 戈采戈采企业股份有限公司	FCI

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详细参数

型号：
FCPF20N60ST
功能描述：
MOSFET 600V NH MOSFET FRFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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