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FCPF20N60ST	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor®’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FCPF20N60ST-G	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor®’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
20N60	文件：176.25 Kbytes Page：3 Pages	20A,600VN-CHANNELPOWERMOSFET ■DESCRIPTION TheUTC20N60isanN-channelenhancementmodepowerMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithplanarstripeandDMOStechnology.Thistechnologyisspecializedinallowingaminimumon-stateresistanceandsuperiorswitchingperformance.Italsocanwithstand	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
20N60	文件：95.42 Kbytes Page：2 Pages	FastSwitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
20N60	文件：1.15549 Mbytes Page：11 Pages	N-Channel650-V(D-S)SuperJunctionMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
20N60A	文件：833.85 Kbytes Page：6 Pages	20A600VN-channelenhancedfieldeffecttransistor	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
20N60B	文件：114.65 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFASTIGBT VCES=600V IC25=40A VCE(sat)typ=1.7V tfi(typ)=100ns Features •InternationalstandardpackagesJEDECTO-268surfacemountableandJEDECTO-247AD •Highcurrenthandlingcapability •LatestgenerationHDMOSTMprocess •MOSGateturn-on -drivesimplicity	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
20N60CFD	文件：50.2 Kbytes Page：1 Pages	HITACHIEncapsulation,DIP16	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
20N60CFD	文件：471.68 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOSPowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
20N60CFD	文件：654.59 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOSTMPowerTransistorFeaturesNewrevolutionaryhighvoltagetechnologyExtremedv/dtrated	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
20N60CFD	文件：293.38 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOSPowerTransistor Features •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Intrinsicfast-recoverybodydiode •Extremelylowreverserecoverycharge •Ultralowgatecharge •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •Periodicavalancherated •Qualifiedforindustrialgradeapplicationsaccording	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
AFGB20N60SFD	文件：166.78 Kbytes Page：9 Pages	Usingnovelfield−stopIGBTtechnology Features •HighCurrentCapability •LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.2V@IC=20A •HighInputImpedance •FastSwitching •AEC−Q101QualifiedtoAutomotiveRequirements •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
AFGB20N60SFD-BW	文件：166.78 Kbytes Page：9 Pages	Usingnovelfield−stopIGBTtechnology Features •HighCurrentCapability •LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.2V@IC=20A •HighInputImpedance •FastSwitching •AEC−Q101QualifiedtoAutomotiveRequirements •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
AIKB20N60CT	文件：2.00644 Mbytes Page：16 Pages	LowLossDuoPack:IGBTinTRENCHSTOPTMandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-paralleldiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
AIKP20N60CT	文件：2.14166 Mbytes Page：16 Pages	LowLossDuoPack:IGBTinTRENCHSTOPTMandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlleddiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
AIKW20N60CT	文件：1.96813 Mbytes Page：16 Pages	LowLossDuoPack:IGBTinTRENCHSTOPTMandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryantiparallelEmitterControlleddiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
AOK20N60	文件：450.77 Kbytes Page：5 Pages	600V,20AN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOK20N60	文件：337.76 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.37Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOK20N60L	文件：337.08 Kbytes Page：5 Pages	600V,20AN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOK20N60L	文件：421.72 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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详细参数

型号：
FCPF20N60ST
功能描述：
MOSFET 600V NH MOSFET FRFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多FCPF20N60ST供应商更新时间2024-4-29 15:15:00

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